분자선 증착법으로 $SiO_2$ 위에 증착한 $Si_{1-x}Ge_x$ 박막의 결정 성장에 관한 투과 전자 현미경 연구 = A transmission electron microscopy study of the crystal growth of $Si_{1-x}Ge_x$ films Deposited on $SiO_2$ by molecular beam deposition

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Advisors
이정용researcherLee, Jeong-Yongresearcher
Description
한국과학기술원 : 재료공학과,
Publisher
한국과학기술원
Issue Date
1999
Identifier
150155/325007 / 000935107
Language
kor
Description

학위논문(박사) - 한국과학기술원 : 재료공학과, 1999.2, [ xviii, 155 p. ]

Keywords

투과 전자 현미경; 결정 성장; 실리콘 저머늄 합금; 분자선 증착법; MBD; TEM; Crystal growth; SiGe alloy

URI
http://hdl.handle.net/10203/50229
Link
http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=150155&flag=dissertation
Appears in Collection
MS-Theses_Ph.D.(박사논문)
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