금속유기화학기상증착법과 반응성 스퍼터링법으로 증착된 $CoN_x$ 박막을 이용하여 (100) Si 기판에서의 에피택셜 $CoSi_2$의 성장에 관한 연구Growth of epitaxial $CoSi_2$ layer on (100) Si substrate using $CoN_x$ film deposited by metallorganic chemical vapor deposition and reactive sputtering

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dc.contributor.advisor안병태-
dc.contributor.advisorAhn, Byung-Tae-
dc.contributor.author김선일-
dc.contributor.authorKim, Sun-Il-
dc.date.accessioned2011-12-15-
dc.date.available2011-12-15-
dc.date.issued2006-
dc.identifier.urihttp://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=254278&flag=dissertation-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/49844-
dc.description학위논문(박사) - 한국과학기술원 : 신소재공학과, 2006.2, [ xii, 162 p. ]-
dc.languagekor-
dc.publisher한국과학기술원-
dc.subjectmetallorganic chemical vapor deposition-
dc.subjectreactive sputtering-
dc.subjectCoNx-
dc.subjectepitaxial silicide-
dc.subject반응성 스퍼터링-
dc.subject금속유기화학기상증착법-
dc.subject코발트 나이트라이드-
dc.subject에피택셜 실리사이드-
dc.subject코발트 실리사이드-
dc.title금속유기화학기상증착법과 반응성 스퍼터링법으로 증착된 $CoN_x$ 박막을 이용하여 (100) Si 기판에서의 에피택셜 $CoSi_2$의 성장에 관한 연구-
dc.title.alternativeGrowth of epitaxial $CoSi_2$ layer on (100) Si substrate using $CoN_x$ film deposited by metallorganic chemical vapor deposition and reactive sputtering-
dc.typeThesis(Ph.D)-
dc.identifier.CNRN254278/325007 -
dc.description.department한국과학기술원 : 신소재공학과, -
dc.identifier.uid020015813-
dc.contributor.localauthor김선일-
dc.contributor.localauthorKim, Sun-Il-
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MS-Theses_Ph.D.(박사논문)
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