DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | 이순칠 | - |
dc.contributor.advisor | Lee, Soon-Chil | - |
dc.contributor.author | 박동성 | - |
dc.contributor.author | Park, Dong-Sung | - |
dc.date.accessioned | 2011-12-14T07:59:34Z | - |
dc.date.available | 2011-12-14T07:59:34Z | - |
dc.date.issued | 2011 | - |
dc.identifier.uri | http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=467634&flag=dissertation | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/48762 | - |
dc.description | 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과, 2011.2, [ iv, 38 p. ] | - |
dc.description.abstract | 인이 도핑된 실리콘은 N형 반도체로서 널리 산업적으로 활용되고 있어 이 물질의 물성 정보를 알아내는 것은 학술적으로나 산업적으로 활용도가 높다고 하겠다.뿐만 아니라 Si:P는 고체 핵자기 공명 양자 컴퓨터를 구현하기 위한 물질로 쓰인다. 이를 위해서 Si:P물질 내의 핵과 전자의 스핀 완화 시간의 정보를 알아내는 것은 매우 중요하다. 그래서 본 연구에서는 양자 현상을 보기위해 액화 질소 온도이하에서 실험을 하였으며, 특히 기존의 ESR 실험의 자기자에 비해 상대적으로 아주 작은 자기장(100Gauss이하)에서 실험을 하게 되었다. 실험 결과 인 도핑 농도 $1.4x10^{18}/cc$ 에서 신호를 보았으며, 이 농도의 Si:P에서 얻은 ESR 신호로 부터 T1,T2 정보를 알아 내었다. | kor |
dc.language | kor | - |
dc.publisher | 한국과학기술원 | - |
dc.subject | 스핀-격자 완화시간 | - |
dc.subject | 인 도핑 실리콘 | - |
dc.subject | 전자 스핀 자기 공명 | - |
dc.subject | 양자 컴퓨터 | - |
dc.subject | 스핀-스핀 완화시간 | - |
dc.subject | T2 Relaxation time | - |
dc.subject | T1 Relaxtion time | - |
dc.subject | Phosphorus doped silicon | - |
dc.subject | ESR | - |
dc.subject | Quantum computer | - |
dc.title | 인 도핑 실리콘의 저자기장 ESR | - |
dc.title.alternative | Low field ESR of phosphorus doped silicon | - |
dc.type | Thesis(Master) | - |
dc.identifier.CNRN | 467634/325007 | - |
dc.description.department | 한국과학기술원 : 물리학과, | - |
dc.identifier.uid | 020098035 | - |
dc.contributor.localauthor | 박동성 | - |
dc.contributor.localauthor | Park, Dong-Sung | - |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.