Browse "EE-Conference Papers(학술회의논문)" by Author 황완식

Showing results 1 to 13 of 13

1
Diffusion Barrier Property of an Ultrathin Graphene Layer for Advanced Cu Interconnect Technology

봉재훈; 윤성준; Alexander Yoon; 황완식; 조병진, The 2nd Korean Graphene Symposium, 한국그래핀연구회, 2015-03-26

2
Enhancement of Operation Efficiency in Charge Trap Memory Using Antiferroelectric HfZrO2

신성원; 신의중; 이승환; 이태인; 김민주; 안현준; 황완식; et al, 제27회 한국반도체학술대회, 연세대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2020-02-13

3
High-Performance Graphene Field-Effect-Transistors with iCVD Gate Dielectrics and Flexible Radio-Frequency Circuit Application

오중건; 봉재훈; 김충선; 박관용; 황완식; 임성갑; 조병진, The 4th Korean Graphene Symposium, 한국그래핀연구회, 2017-04-06

4
Influence of Self-Heating Effect on Interface Trap Generation in Highly Flexible SingleCrystalline Si Nanomembrane Transistors

봉재훈; 김승윤; 정찬배; 장기수; 황완식; 조병진, 제25회 한국반도체학술대회, 서강대학교, 2018-02-06

5
Mechanical and Electrical Reliability of NMP Optimized Flexible Si CMOS IC

김승윤; 김철규; 봉재훈; 황완식; 김택수; 오재섭; 조병진, 제25회 한국반도체학술대회, 서강대학교, 2018-02-06

6
Metal/Al2O3/GeO2/Ge 구조의 열처리에 따른 유효 일함수에 대한 연구

이태인; 서유진; 문정민; 안현준; 유현영; 황완식; 조병진, 24th Korean Conference on Semiconductors, SK Hynix, 2017-02-15

7
MoS2 charge trap memory cell 특성 평가

신의중; 임이랑; 임종선; 황완식; 조병진, 제26회 한국반도체학술대회, DB하이텍, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2019-02-14

8
Self-heating Effect of Flexible FD-SOI MOSFET on Polymer Substrate

봉재훈; 김승윤; 정찬배; 장기수; 황완식; 조병진, 24th Korean Conference on Semiconductors, SK Hynix, 2017-02-15

9
Superior Carrier Mobility of Ge MOSFETs Depending on Channel Orientation with EOT of 0.57 nm Using Y-ZrO2/GeOx/Ge Stack

이태인; Nguyen, Manh-Cuong; 김민주; 안현준; 신의중; 이승환; 신성원; et al, 제27회 한국반도체학술대회, 연세대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2020-02-13

10
Ultra-flexible high performance FDSOI transistor for IOT applications

김승윤; 봉재훈; 김철규; 김택수; 황완식; 조병진, 24th Korean Conference on Semiconductors, SK Hynix, 2017-02-15

11
Vertical Graphene Field-Effect Transistor using Direct Growth Graphene Nanoribbon

홍슬기; 봉재훈; 황완식; 조병진, The 2nd Korean Graphene Symposium, 한국그래핀연구회, 2015-03-26

12
Y 도핑된 ZrO2 고유전율 박막을 이용한 0.67 nm의 EOT와 매우 낮은 누설 전류를 가지는 Ge 기반 게이트 구조

이태인; 김민주; 안현준; 신의중; 이승환; 신성원; 황완식; et al, 제26회 한국반도체학술대회, DB하이텍, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2019-02-15

13
고성능 트랜지스터를 위한 실리콘 나노멤브레인의 밸리 엔지니어링

김승윤; 최성율; 황완식; 조병진, 제 23회 한국반도체학술대회, 성균관대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2016-02-24

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