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Ge 기반의 소자에서 Y-ZrO2 게이트 유전체를 이용한 EOT 스케일링(~5.7 A) 및 누설 전류와 계면 트랩의 감소 Lee, Tae In; Kim, Min Ju; Manh-Cuong Nguyen; Ahn, Hyunjun; Moon, Jung Min; Lee, Tae Yoon; Yu, Hyun-Young; et al, 제25회 한국반도체학술대회, 서강대학교, 2018-02-07 |
Tunnel Field Effect Transistor with an Electron-Hole Bilayer Induced by a Symmetrically Arranged Double-gate Jeong, Woo-Jin; Kim, Tae Kyun; Moon, Jung Min; Shin, Min-Cheol; Lee, Seok-Hee, ISPSA-2014, ISPSA-2014, 2014-12-08 |
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