DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | 김충기 | - |
dc.contributor.advisor | Kim, Choong-Ki | - |
dc.contributor.author | 정봉영 | - |
dc.contributor.author | Chung, Bong-Young | - |
dc.date.accessioned | 2011-12-14T02:19:17Z | - |
dc.date.available | 2011-12-14T02:19:17Z | - |
dc.date.issued | 1979 | - |
dc.identifier.uri | http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=62310&flag=dissertation | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/39474 | - |
dc.description | 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과, 1979.8, [ ii, 72 p. ] | - |
dc.description.abstract | 본 논문에서는 Computer의 연산기능을 수행하는 2Bit ALU를 N-MOS IC 제작기법을 사용하여 설계, 제작하였다. 먼저 설계에 필요한 기본적인 이론을 알아본 다음 전가산회로를 기본으로 하여 논리회로를 설계하고, 그 회로를 집적회로로 바꾸는 Layout을 설계하였다. 다음에 회로를 동작시키는 적정 $V_T$를 산출하고 SPICE를 이용하여 설계된 집적회로의 특성을 예측하여 보았다. 다음에, 설계된 회로의 Layout으로부터 6개의 Emulsion mask를 제작하여, 집적회로 제작과정을 거쳐 2 Bit ALU를 제작하였다. 제작된 ALU는 5V전원에서 모든 기능을 정상적으로 수행하였고 $I_{DD}$는 0.5 mA로, 2.5 mW의 전력을 소모하였다. 출력 level은 4.9 $\sim$ 0.36V로 TTL의 level과 비슷하였으며 propagation delay는 0.4 $\sim$ 0.8 $\mu$sec로 예측치에 비하여 약 2배의 값이 나왔다. 이것은 side diffusion과 $V_T$의 오차때문에 $I_{DSS}$의 감소로 인한 것이라 생각된다. | kor |
dc.language | kor | - |
dc.publisher | 한국과학기술원 | - |
dc.title | N-MOS 제작법을 이용한 2-BIT ALU의 설계와 제작 | - |
dc.title.alternative | Design and fabrication of a 2-BIT ALU using N-MOS technology | - |
dc.type | Thesis(Master) | - |
dc.identifier.CNRN | 62310/325007 | - |
dc.description.department | 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과, | - |
dc.identifier.uid | 000771142 | - |
dc.contributor.localauthor | 김충기 | - |
dc.contributor.localauthor | Kim, Choong-Ki | - |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.