Design of silicon impatt diode and its fabrication

Abstract

본 논문은 초고주파 대역중에서도 낮은 주파수 (X-Band 이하) 에서의 신호발생원으로 사용할 수 있는 씰리콘 IMPATT 다이오드를 제작함을 그 목적으로 하고 있다. 우선 III-1 절에서 일반적인 IMPATT이론을 다루었고 씰리콘 재질을 이용한 IMPATT다이오드 제작에 관한 설계 방법을 III-2 절에서 알아 보았다. IV.장에서는 실제로 행한 IMPATT Process 를 요약하여 보았으며 이 Process 를 거친 다이오드 들에 대한 실험결과 및 사진 등은 V.장에 수록 하였다. 끝으로 Process 를 수행하면서 발견한 사항중, 앞으로 개선의 여지가 많은 것은 VI. 장의 고찰편에서 상세히 다루었고 VII. 장에서 결론을 맺고 있다.