Design of an MOS shift register

Abstract

MOS transistor 이론으로 부터 turn on turn off time 을 구하여 clock 전압이 -10Volt 일때 830 KHZ 까지 동작하는 shift register 를 설계하였다. 이 설계에 의한 8 -bit shift register 를 실제로 시험제작한 결과 fall time 이 설계치 0.6 $\mu$ sec 보다 약간 큰 0.8 $\mu$ sec 로 측정되었다. Input data 와 clock 간의 관계를 살폈으며, leakage 에 의한 최저동작 주파수와 duty cycle, clock 전압 및 field inversion에 의한 최대동작 주파수를 실험적으로 구하였다. 본 논문에 제시한 설계방법을 따라 1 Kbit 이상의 MOS shift register 를 설계, 제작할 수 있음을 실험적으로 확증하였다.