실리콘 임페트 다이오드의 設計 및 製作Design of silicon IMPATT diode and its fabrication
실리콘은 가장 값이 싼 반도체물질이며, 그 성질이 잘 알려져 있으므로 다루기에 용이하다. 한편 실리콘 임페트 다이오드는 가리움아르세나이드 ( GaAs ) 임페트 다이오드와는 달리 실리콘 직적회로 제작기구의 오염없는 동시제작이 가능하며, 그 특성도 가리움아르세나이드와 비교할만 하다. 이 논문에서는 실리콘을 재질로 하는 pin형 임페트 다이오드의 설계과정과 Mesa기술에 의한 제작방법을 보이려고한다.
- Advisors
- 나정웅; Ra, Jung-Woong
- Description
- 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과,
- Publisher
- 한국과학기술원
- Issue Date
- 1976
- Identifier
- 61998/325007 / 000741001
- Language
- kor
- Description
학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과, 1976.2, [ v, 39 p. ]
- Appears in Collection
- EE-Theses_Master(석사논문)
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