다결정 실리콘 이중 전극 구조의 전하결합소자를 이용한 이차원 영상 감지소자의 설계 및 제작

Abstract

analog 신호 처리 능력을 가지고 있는 charge-coupled device를 이용하여 n-channel 16X16 CCD area image sensor 를 제작하였는데, 이 소자는 overlapping poly/poly,poly/Al gate와 ion-implanted barrier를 갖는 2-phase,frame-transfer 방식이다. 제작된 감지소자를 이용하여 alphabet 등을 image source 로 하여 오실로스코우프에 display 하여 출력영상을 얻었고 output reg. 를 사용하여 주파수 변화에 대한 전하이동 손실의 변화를 측정하였다. 그 결과는 50 KHz 와 100 KHz사이에서는 ε= 0.93% 로 유지되나, 주파수가 100 KHz 를 넘어서면 loss가 증가하기 시작하여 200 KHz 에서는 1.45%가 되었다. 그러나 chnnel length 를 줄이고 적절한 process 를 수행하면 전하이동 효율을 향상시킬수 있으리라 생각한다.