InP/InGaAs PIN diode를 이용한 다층구조 MMIC attenuator 제작 및 특성 분석Fabrication and characterization of multi-layer MMIC attenuators using InP/InGaAs PIN diodes
본 논문에서는 광대역의 집적화된 digital/variable InP/InGaAs PIN attenuator를 다층구조 MMIC 공정기술로 제작하였다. PIN diode의 높은 switching rate와 low insertion loss, high isolation, high power handling capability를 이용하고 InP/InGaAs 물질을 사용하여 높은 전자이동도 낮은 turn-on voltage, 높은 cutoff frequency, InP-based HBT와의 capatibility를 이점으로 활용하여 InP/InGaAs PIN attenuator MMIC를 제작하였다. 제작된 InP/InGaAs PIN diode의 cutoff frequency는 5.17THz로 높은 주파수 특성을 보였고 1.4Ω의 on-resistance와 22 fF의 off-capacitance를 가졌다.
Device library를 바탕으로 하여 digital / variable attenuator를 각각 design하고 simulation하였다. digital attenuator에서는 주파수 대역을 높이고 attenuation 특성을 높인 설계를 제안하였다. 제작된 attenuator MMIC는 낮은 insertion loss와 우수한 matching 특성을 보였으며 다층구조 공정으로 매우 낮은 면적을 가짐을 알 수 있었다. 이로써 다층구조의 InP/InGaAs PIN attenuaotr는 저면적, 광대역 MMIC에 응용됨을 알 수있다.
- Advisors
- 양경훈researcher; Yang, Kyoung-hoonresearcher
- Description
- 한국과학기술원 : 전기및전자공학전공,
- Publisher
- 한국과학기술원
- Issue Date
- 2008
- Identifier
- 297188/325007 / 020063313
- Language
- kor
- Description
학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학전공, 2008.2, [ xii, 69 p. ]
- Keywords
Attenuator; InP; PIN Diode; Multi-layer; MMIC; 감쇠기; 핀다이오드; 다층구조; Attenuator; InP; PIN Diode; Multi-layer; MMIC; 감쇠기; 핀다이오드; 다층구조
- Appears in Collection
- EE-Theses_Master(석사논문)
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