GaAs 가변이득 증폭기 설계 및 제작Design and fabrication of GaAs variable gain amplifiers
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 권영세 | - |
| dc.contributor.advisor | Kwon, Young-Se | - |
| dc.contributor.author | 신성호 | - |
| dc.contributor.author | Shin, Seong-Ho | - |
| dc.date.accessioned | 2011-12-14T01:45:48Z | - |
| dc.date.available | 2011-12-14T01:45:48Z | - |
| dc.date.issued | 2000 | - |
| dc.identifier.uri | http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=157449&flag=dissertation | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/37290 | - |
| dc.description | 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학전공, 2000.2, [ 48 p. ] | - |
| dc.description.abstract | 본논문에서는 두가지 형태의 가변이득 증폭기(가변 attenuator 피이드백 가변이득 증폭기, Active 피이드백 가변이득 증폭기)가 설계 되었고, 제작 되었다. KAIST에서 확립된 갈륨-비소 MESFET을 이용한 모노리식 초고주파 마이크로웨이브 집적회로로 제작 되었다. 모노리식 초고주파 마이크로웨이브 집적 회로 제작의 주요 공정은 게이트 리세스, NiCr박막저항, 메탈-절연체-메탈 구조의 커패시터를 제작하기 위해 SiNx 절연체 증착, 금도금공정 이다. 제작된 가변 attenuator 피이드백 가변이득 증폭기는 이득이 5.1dB에서 15.2dB 까지 가변되어, 약 10dB 이득가변 범위를 가졌다. 그리고 Active 피이드백 가변이득 증폭기는 이득이 1.5dB에서 13dB까지 가변되어, 11dB의 이득가변 범위를 가진다. | kor |
| dc.language | kor | - |
| dc.publisher | 한국과학기술원 | - |
| dc.subject | 가변감쇄기 | - |
| dc.subject | 가변이득증폭기 | - |
| dc.subject | 갈륨-비소프로세스 | - |
| dc.subject | GaAs fabrication | - |
| dc.subject | Attenuator | - |
| dc.subject | Variable gain amplilifer | - |
| dc.title | GaAs 가변이득 증폭기 설계 및 제작 | - |
| dc.title.alternative | Design and fabrication of GaAs variable gain amplifiers | - |
| dc.type | Thesis(Master) | - |
| dc.identifier.CNRN | 157449/325007 | - |
| dc.description.department | 한국과학기술원 : 전기및전자공학전공, | - |
| dc.identifier.uid | 000983296 | - |
| dc.contributor.localauthor | 권영세 | - |
| dc.contributor.localauthor | Kwon, Young-Se | - |
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- EE-Theses_Master(석사논문)
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