표면 회절격자를 이용한 레이저 다이오드 제작Fabrication of LASER diode with surface-grating-etching structure

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본 논문에서 1.55um의 중심파장을 목표로 표면회절격자를 이용한 레이저 다이오드를 제작하였다. 표면 회절격자는 $CH_4$와 $H_2$ 기체를 이용하여 RIE장비로 만든다. 이 공정은 RF 전력량, 압력, 공정시간 등에 의해 결정되고 본 실험에서 이 파라미터를 최적화하였다. 새로운 광학장치를 이용하여 표면 회절격자의 주기와 현상이 잘 되었는지를 판단하는데 사용하였다. L-I특성곡선과 스펙트럼을 통하여 표면 회절격자에 의한 영향이 있다는 것을 보였다. 또한 RIE에 의한 손상이 고려되어야 할 것이다.
Advisors
권영세researcherKwon, Young-Seresearcher
Description
한국과학기술원 : 전기및전자공학전공,
Publisher
한국과학기술원
Issue Date
2000
Identifier
157422/325007 / 000983093
Language
kor
Description

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학전공, 2000.2, [ ii, 42 p. ]

Keywords

RIE 식각조건; 표면 회절격자; DFB 레이저 다이오드; DFB LD; RIE etching condition; Surface grating

URI
http://hdl.handle.net/10203/37263
Link
http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=157422&flag=dissertation
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EE-Theses_Master(석사논문)
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