저 전력, 고속 구동의 EEPROM을 위한 열 질화 막에 관한 연구

Abstract

매우 얇은 열 질화 막을 IR-furnace를 이용하여 암모니아 분위기에서 성장시켰다. AES측정을 통해 막의 성분을 분석하였다. MIS소자를 제작하여 C-V, I-V, time-dependent breakdown, trapping,dielectric berakdown 전계 등의 전기적 특성을 분석하였다. 이러한 분석 결과들은 얇은 열 질화 막이 미래의 VLSI소자의 게이트 물질로 사용되어 질 수 있음을 보여주었다. 열 질화 막을 이용하여 MOSFET과 EEPROM을 제작, 측정하여 보았다. MOSFET측정 결과 이동도의 저하 현상이 나타났지만 이전에 제작된 ECR 질화 막 소자에 비해서는 저하 현상이 심하지 않았다. EEPROM에서는 게이트로의 누설 전류가 너무 많아 성공적인 동작을 확인하지 못했다.