DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.advisor | 권영세 | - |
dc.contributor.advisor | Kwon, Young-Se | - |
dc.contributor.author | 안정호 | - |
dc.contributor.author | Ahn, Jeong-Ho | - |
dc.date.accessioned | 2011-12-14T01:34:40Z | - |
dc.date.available | 2011-12-14T01:34:40Z | - |
dc.date.issued | 2010 | - |
dc.identifier.uri | http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=419147&flag=dissertation | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/36587 | - |
dc.description | 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과, 2010.2, [ 58 p. ] | - |
dc.description.abstract | 본 논문은 선택적 양극산화된 알루미늄 기판을 이용한 고출력 스위치에 관한 것이다. 고출력 스위치는 무선 LAN / 군사용 레이다용 FEM에서 가장 중요한 부분중의 하나로서 SPDT 스위치는 송수신 모듈에서 송신과 수신 시간을 조절하고 송신시 출력 하모닉 성분과 수신시 입력 간섭을 제거하는 역할을 한다. 본 연구에서는 GaN을 이용한 SPDT 스위치의 구현을 위해 GaN 소자 모델링을 실시하였다. DC / RF 측정을 통해 전류-전압 곡선 및 S-parameter를 얻었으며, ADS 상의 materka model을 이용하여 GaN HEMT chip을 성공적으로 모델링하였다. 이를 이용하여 Series/shunt 형태의 GaN Switch를 제작하였으며, 측정하고 분석하였다. 측정 결과 5.5 GHz 대역에서 IL은 1.27dB, RL은 21.69dB가 나왔으며, 격리도(Isolation)는 18.644dB로 측정되었다. 본 논문을 통하여, KAIST 반도체동 클린룸 공정과정을 이용한 고출력 스위치 공정이 성공적으로 확립되었음을 확인할 수 있다. | kor |
dc.language | kor | - |
dc.publisher | 한국과학기술원 | - |
dc.subject | 양극산화 알루미늄 | - |
dc.subject | 고출력 스위치 | - |
dc.subject | SPDT | - |
dc.subject | anodized aluminum | - |
dc.subject | GaN | - |
dc.subject | power switch | - |
dc.title | 선택적 양극산화 알루미늄 기판을 이용한 GaN 고출력 SPDT 스위치의 설계 및 제작 | - |
dc.title.alternative | Design and fabrication of GaN high power SPDT switch using selective anodized aluminum substrate | - |
dc.type | Thesis(Master) | - |
dc.identifier.CNRN | 419147/325007 | - |
dc.description.department | 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과, | - |
dc.identifier.uid | 020083278 | - |
dc.contributor.localauthor | 권영세 | - |
dc.contributor.localauthor | Kwon, Young-Se | - |
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