HEMT 소자, 모놀리식 3차원 집적 소자 및 그들의 제조 방법HEMT device, monolithic 3D stack device and method of fabricating the devices
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김상현 | ko |
| dc.contributor.author | 정재용 | ko |
| dc.contributor.author | 이종원 | ko |
| dc.contributor.author | 이원철 | ko |
| dc.contributor.author | 김영수 | ko |
| dc.contributor.author | 노길선 | ko |
| dc.date.accessioned | 2024-05-20T07:01:04Z | - |
| dc.date.available | 2024-05-20T07:01:04Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/319411 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 일 관점에 따른 HEMT 소자는, HEMT 채널 스택층과, 상기 HEMT 채널 스택층 상에 형성되고, 트렌치에 의해서 적어도 두 부분으로 분리된 소오스/드레인층과, 상기 소오스/드레인층 상에 상기 트렌치를 노출하도록 형성된 유전층과, 상기 트렌치 내에 상기 트렌치의 양측벽을 이루는 상기 소오스/드레인층으로부터 이격되게 형성되어 상기 트렌치의 폭보다 좁은 선폭으로 형성되고, 상기 트렌치 내에서 하단의 폭이 상단의 폭보다 좁게 형성된, 게이트 전극층을 포함할 수 있다. | - |
| dc.title | HEMT 소자, 모놀리식 3차원 집적 소자 및 그들의 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | HEMT device, monolithic 3D stack device and method of fabricating the devices | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 김상현 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이종원 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이원철 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김영수 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 노길선 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2022-0184752 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2617144-0000 | - |
| dc.date.application | 2022-12-26 | - |
| dc.date.registration | 2023-12-19 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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