화학기상 증착공정을 이용한 고신축성 초소수성 박막 및 그 제조방법Highly Stretchable Superhydrophobic Thin Film Using Chemical Vapor Deposition Process (iCVD) and Method of Preparing the Same

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dc.contributor.author임성갑ko
dc.contributor.author오명석ko
dc.contributor.author전민규ko
dc.date.accessioned2024-04-18T09:01:27Z-
dc.date.available2024-04-18T09:01:27Z-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/319117-
dc.description.abstract본 발명은 화학기상 증착공정을 이용한 고신축성 초소수성 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 화학기상 증착 반응기에서 개시제 존재하에 기판 상에 4~6개의 플루오로화 알킬기를 함유하고 유리전이온도가 5℃ 이하인 불소 단량체와 가교결합용 단량체를 반응시켜 기판 상에 공중합체 형태로 나노미터 수준으로 코팅함으로써 폴더블(foldable) 및 웨어러블(wearable) 소자 등에서 내구성을 확보할 수 있는 화학기상 증착공정을 이용한 고신축성 초소수성 박막 및 그 제조방법에 관한 것이다.-
dc.title화학기상 증착공정을 이용한 고신축성 초소수성 박막 및 그 제조방법-
dc.title.alternativeHighly Stretchable Superhydrophobic Thin Film Using Chemical Vapor Deposition Process (iCVD) and Method of Preparing the Same-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor임성갑-
dc.contributor.assignee한국과학기술원-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2021-0055735-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-2642509-0000-
dc.date.application2021-04-29-
dc.date.registration2024-02-26-
dc.publisher.countryKO-
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CBE-Patent(특허)
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