강유전체 기반 메모리 소자 및 그 제조 방법MEMORY ELEMENT BASED ON FERROELECTRIC AND MANUFACTURING METHOD THEROF
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 전상훈 | ko |
| dc.contributor.author | 이상호 | ko |
| dc.date.accessioned | 2024-04-16T10:00:16Z | - |
| dc.date.available | 2024-04-16T10:00:16Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/319008 | - |
| dc.description.abstract | 강유전체 기반 메모리 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면 강유전체 기반 메모리 소자는, 강유전체층의 커패시턴스가 게이트 절연막의 커패시턴스보다 작도록 조절되는 구조 및/또는 강유전체층에 인가되는 전기장이 게이트 절연막에 인가되는 전기장보다 크도록 조절되는 구조를 포함할 수 있다. | - |
| dc.title | 강유전체 기반 메모리 소자 및 그 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | MEMORY ELEMENT BASED ON FERROELECTRIC AND MANUFACTURING METHOD THEROF | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 전상훈 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2022-0021916 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2633513-0000 | - |
| dc.date.application | 2022-02-21 | - |
| dc.date.registration | 2024-01-31 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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