고 열전도도 질화규소 소결체 및 이의 제조 방법Sintered silicon nitride having high thermal conductivity and Manufacturing method thereof
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김도경 | ko |
| dc.contributor.author | 이현민 | ko |
| dc.contributor.author | 석인식 | ko |
| dc.date.accessioned | 2024-02-16T06:00:48Z | - |
| dc.date.available | 2024-02-16T06:00:48Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/318083 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 고 열전도도의 질화규소 소결체를 얻기 위해 원료분말을 사전 열처리하고 소결체 내부에 유입되는 산소 농도를 최소화할 수 있는 비산화물계 소결 조제를 사용하여 고 열전도도 질화규소 소결체의 제조 방법으로서, 질화규소 원료분말을 사전에 열처리하는 단계; 열처리된 원료분말과 비산화물계 소결 조제를 혼합하여 분산하는 단계; 혼합 및 분산하여 얻은 슬러리를 건조하는 단계; 건조된 혼합분말을 냉간 등방 가압법(CIP)으로 성형하는 단계 및 고온 가압 소결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. | - |
| dc.title | 고 열전도도 질화규소 소결체 및 이의 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | Sintered silicon nitride having high thermal conductivity and Manufacturing method thereof | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 김도경 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원,주식회사 케이씨씨 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2015-0115551 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1794410-0000 | - |
| dc.date.application | 2015-08-17 | - |
| dc.date.registration | 2017-10-31 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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