DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 최양규 | ko |
dc.contributor.author | 김명수 | ko |
dc.date.accessioned | 2024-01-12T05:00:17Z | - |
dc.date.available | 2024-01-12T05:00:17Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/317783 | - |
dc.description.abstract | スティープスロープ電界効果トランジスタとその製造方法を提供する。本発明の一実施形態に係るスティープスロープ電界効果トランジスタは、基板上に形成されるソース、チャネル領域、ドレインと、前記チャネル領域の上部に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上部に形成されるフローティングゲートと、前記フローティングゲートの上部に形成される遷移層と、前記遷移層の上部に形成されるコントロールゲートとを含み、前記スティープスロープ電界効果トランジスタは、前記コントロールゲートに基準電位以上を印加することで前記フローティングゲートに保存された少なくとも1つの電荷を放出または搬入させることができる。 | - |
dc.title | スティープスロープ電界効果トランジスタとその動作方法 | - |
dc.title.alternative | STEEP-SLOPE FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
dc.contributor.assignee | KAIST | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 2021-555154 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 7352984 | - |
dc.date.application | 2021-07-29 | - |
dc.date.registration | 2023-09-21 | - |
dc.publisher.country | JA | - |
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