전이금속 디칼코게나이드 도핑방법 및 이에 의하여 도핑된 전이금속 디칼코게나이드Method for doping transition metal dichalcogenide and transition metal dichalcogenide doped thereby
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최성율 | ko |
| dc.contributor.author | 홍웅기 | ko |
| dc.date.accessioned | 2023-11-07T08:01:13Z | - |
| dc.date.available | 2023-11-07T08:01:13Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/314378 | - |
| dc.description.abstract | 도핑되는 도펀트 가스를 전이금속 디칼코게나이드가 구비된 챔버에 주입하는 단계; 상기 주입된 챔버에 전기적 에너지를 인가하여 도펀트 가스를 플라즈마화하는 단계; 및 상기 플라즈마화된 도펀트 가스로 상기 전이금속 디칼코게나이드를 도핑하는 단계를 포함하는 전이금속 디칼코게나이드 도핑방법이 제공된다. | - |
| dc.title | 전이금속 디칼코게나이드 도핑방법 및 이에 의하여 도핑된 전이금속 디칼코게나이드 | - |
| dc.title.alternative | Method for doping transition metal dichalcogenide and transition metal dichalcogenide doped thereby | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최성율 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2022-0031925 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2594752-0000 | - |
| dc.date.application | 2022-03-15 | - |
| dc.date.registration | 2023-10-24 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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