탄화규소의 열분해를 이용한 그래핀 양자점의 제조방법 및 이의 방법으로 제조된 그래핀 양자점Preparation method of graphene quantum dot using pyrolysis of silicon carbide and graphene quantum dot prepared thereby
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 조성오 | ko |
| dc.contributor.author | 이나은 | ko |
| dc.date.accessioned | 2023-10-13T06:02:57Z | - |
| dc.date.available | 2023-10-13T06:02:57Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/313313 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 탄화규소의 열분해를 이용한 그래핀 양자점의 제조방법 및 이의 방법으로 제조된 그래핀 양자점에 관한 것으로, 수소를 포함하는 혼합가스가 공급되는 감압 분위기에서 탄화규소 기판을 열분해하는 단계;를 포함하는, 그래핀 양자점의 제조방법 및 이의 방법으로 제조된 그래핀 양자점에 관한 것이다. | - |
| dc.title | 탄화규소의 열분해를 이용한 그래핀 양자점의 제조방법 및 이의 방법으로 제조된 그래핀 양자점 | - |
| dc.title.alternative | Preparation method of graphene quantum dot using pyrolysis of silicon carbide and graphene quantum dot prepared thereby | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 조성오 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2021-0013843 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2572414-0000 | - |
| dc.date.application | 2021-02-01 | - |
| dc.date.registration | 2023-08-29 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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