역 구조의 수직형 발광 트랜지스터 및 그 제조방법Inverted type vertical light emitting transistor and method for fabricating the same
본 발명은 반도체 소자 및 반도체 소재에 관한 것으로, 보다 상세하게는 수직 구조의 유기 반도체 박막 트랜지스터와 광반도체 소재의 융합 소자 및 그 제조방법에 관한 것이며, 기판상에 형성된 제1 전극과; 상기 제1 전극 상에 형성된 활성층 과; 상기 활성층 상에 형성되고 내부에 복수 개의 핀홀을 구비한 투과 전극을 포함하는 제2 전극과; 상기 제2 전극 상에 형성된 상부 전자 수송층과; 상기 상부 전자 수송층 상에 형성된 양자점 발광층과; 상기 양자점 발광층 상에 형성된 정공 수송층과; 상기 정공 수송층 상에 형성된 제3 전극;을 포함하는 역 구조의 수직형 발광 트랜지스터 및 제조방법을 제공하는 것이다.
- Assignee
- 한국과학기술원, 한국표준과학연구원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2022-12-29
- Application Number
- 10-2022-0189180
- Registration Date
- 2023-08-18
- Registration Number
- 10-2569796-0000
- Appears in Collection
- MS-Patent(특허)
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