메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법MEMORY SYSTEM AND OPERATING METHOD OF MEMORY SYSTEM

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dc.contributor.author문재균ko
dc.contributor.author박석광ko
dc.date.accessioned2023-07-18T02:01:51Z-
dc.date.available2023-07-18T02:01:51Z-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/310569-
dc.description.abstract본 기술은 호스트 및 다수의 페이지(page)들을 각각 포함하는 다수의 블록들과, 상기 블록들을 각각 포함하는 다수의 플래인(plane)들, 상기 플래인들을 각각 포함하는 다수의 다이(die)들을 포함하는 메모리 장치 및 상기 메모리 장치를 제어하는 컨트롤러를 포함하는 메모리 시스템에 있어서, 제1메모리셀로부터 리드한 제1데이터 및 제2메모리셀의 제2데이터를 제1심볼데이터 및 제2심볼데이터로 변환하는 제1데이터변환부; 상기 제1심볼데이터 및 제2심볼데이터간의 간섭량을 산출하는 간섭산출부; 상기 간섭량 및 상기 제1메모리셀로부터 리드한 제3데이터를 이용하여 상기 제1심볼데이터로부터 간섭을 제거한 제1간섭제거심볼데이터를 산출하는 보상부 및 상기 제1간섭제거심볼데이터를 제1간섭제거데이터로 변환하는 제2데이터변환부를 포함하는 메모리 시스템을 포함할 수 있다.-
dc.title메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법-
dc.title.alternativeMEMORY SYSTEM AND OPERATING METHOD OF MEMORY SYSTEM-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor문재균-
dc.contributor.assignee한국과학기술원, 에스케이하이닉스 주식회사-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2018-0080505-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-2530789-0000-
dc.date.application2018-07-11-
dc.date.registration2023-05-04-
dc.publisher.countryKO-
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EE-Patent(특허)
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