본 발명은 탄소막을 형성하는 방법으로, 보다 상세하게는 자기제어 및 탄화를 이용하여 비정질 탄소막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 탄소막 형성 방법에 대한 일 실시예는 기판 상에 고분자 박막을 형성하는 단계; 상기 기판과 상기 고분자 박막을 축합반응시켜, 상기 기판과 상기 고분자 박막 사이에 그래프팅된 고분자 박막을 형성하는 단계; 상기 그래프팅된 고분자 박막 상에 남아 있는 고분자 박막을 제거하는 단계; 및 상기 그래프팅된 고분자 박막을 탄화시켜, 탄소막을 형성하는 단계;를 포함한다.