비대칭 소스 및 드레인 구조를 갖는 트랜지스터 및 제조방법TRANSISTOR WITH ASYMMETRIC SOURCE/DRAIN STRUCTURE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 임성갑 | ko |
| dc.contributor.author | 유호천 | ko |
| dc.contributor.author | 이충열 | ko |
| dc.contributor.author | 최준환 | ko |
| dc.contributor.author | 이창현 | ko |
| dc.date.accessioned | 2023-06-29T09:01:05Z | - |
| dc.date.available | 2023-06-29T09:01:05Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/310138 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 비대칭 소스 및 드레인 구조를 갖는 박막 트랜지스터(Thin film Transistor) 또는 이종 접합 트랜지스터(Heterojunction Transistor)에 관한 것으로서, 게이트 상에 형성되는 절연막, 상기 절연막의 상부 일측면과 접촉하며, 소스 전극 또는 드레인 전극에 영향을 받는 제1 반도체 및 상기 절연막의 상부 타측면과 상기 제1 반도체 상에 형성되어 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 연결하는 제2 반도체를 포함하되, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 서로 다른 너비의 비대칭 구조를 갖는 것을 특징으로 한다. | - |
| dc.title | 비대칭 소스 및 드레인 구조를 갖는 트랜지스터 및 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | TRANSISTOR WITH ASYMMETRIC SOURCE/DRAIN STRUCTURE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 임성갑 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 유호천 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원,가천대학교 산학협력단 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2021-0033675 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2547478-0000 | - |
| dc.date.application | 2021-03-16 | - |
| dc.date.registration | 2023-06-21 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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