비대칭 소스 및 드레인 구조를 갖는 트랜지스터 및 제조방법TRANSISTOR WITH ASYMMETRIC SOURCE/DRAIN STRUCTURE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF
본 발명은 비대칭 소스 및 드레인 구조를 갖는 박막 트랜지스터(Thin film Transistor) 또는 이종 접합 트랜지스터(Heterojunction Transistor)에 관한 것으로서, 게이트 상에 형성되는 절연막, 상기 절연막의 상부 일측면과 접촉하며, 소스 전극 또는 드레인 전극에 영향을 받는 제1 반도체 및 상기 절연막의 상부 타측면과 상기 제1 반도체 상에 형성되어 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 연결하는 제2 반도체를 포함하되, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 서로 다른 너비의 비대칭 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.
- Assignee
- 한국과학기술원,가천대학교 산학협력단
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2021-03-16
- Application Number
- 10-2021-0033675
- Registration Date
- 2023-06-21
- Registration Number
- 10-2547478-0000
- Appears in Collection
- CBE-Patent(특허)
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.