본 발명은 비대칭 소스 및 드레인 구조를 갖는 박막 트랜지스터(Thin film Transistor) 또는 이종 접합 트랜지스터(Heterojunction Transistor)에 관한 것으로서, 게이트 상에 형성되는 절연막, 상기 절연막의 상부 일측면과 접촉하며, 소스 전극 또는 드레인 전극에 영향을 받는 제1 반도체 및 상기 절연막의 상부 타측면과 상기 제1 반도체 상에 형성되어 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 연결하는 제2 반도체를 포함하되, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 서로 다른 너비의 비대칭 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.