DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.advisor | 전상훈 | - |
dc.contributor.advisor | Jeon, Sanghun | - |
dc.contributor.author | 신훈범 | - |
dc.date.accessioned | 2023-06-26T19:34:42Z | - |
dc.date.available | 2023-06-26T19:34:42Z | - |
dc.date.issued | 2023 | - |
dc.identifier.uri | http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=1032901&flag=dissertation | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/310030 | - |
dc.description | 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학부, 2023.2,[vi, 40 p. :] | - |
dc.description.abstract | 기술이 발전함에 따라서, 차세대 메모리 소자에 관한 연구가 활발히 이뤄지고 있다. 특히, 강유전성을 갖는 하프늄 옥사이드 박막은 CMOS 공정 적합성이 뛰어나며, 소자 스케일링 측면에서 유리하기 때문에, 강유전체 터널 정션 (FTJ) 및 강유전체 전계 트랜지스터 (FeFET) 와 같은 소자들이 연구되고 있다. 그러나, 강유전체에는 P-V 이력 곡선을 한쪽으로 편향시키는 임프린트 현상이 존재하며, 이는 메모리 디바이스의 동작전압 증가 및 오동작을 초래하므로 단점으로 간주되어 왔다. 본 연구에서는 이러한 한계를 극복하기 위해 기능성 중간층인 탄탈륨 옥사이드 기반의 고정 전하층을 하프늄-지르코늄 박막에 삽입하여 임프린트 현상을 조절하는 방법을 제안한다. 또한, 이를 응용하여 강유전체 터널 정션 소자의 온/오프 전류비와 자가 정류 강유전체 터널 정션 소자를 위한 정류비를 개선시킴을 통해, 강유전체 터널 정션 소자에서의 기능성 중간층의 효과를 검증하였다. | - |
dc.language | kor | - |
dc.publisher | 한국과학기술원 | - |
dc.subject | Hafnium oxide▼aImprint▼aFerroelectric tunnel junction▼aFerroelectric memory | - |
dc.subject | 하프늄 옥사이드▼a임프린트▼a강유전체 터널 정션 소자▼a강유전체 메모리 | - |
dc.title | 강유전체 박막의 기능성 중간층을 활용한 강유전체 터널 정션 소자 | - |
dc.title.alternative | (A) study on hafnia-based ferroelectric tunnel junction device by inserting functional interlayer | - |
dc.type | Thesis(Master) | - |
dc.identifier.CNRN | 325007 | - |
dc.description.department | 한국과학기술원 :전기및전자공학부, | - |
dc.contributor.alternativeauthor | Shin, Hunbeom | - |
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