연속적으로 정렬된 3차원 이종 소재 계면을 갖는 3차원 멤리스터 소자 및 그 제조 방법3-DIMENSIONAL MEMRISTOR ELEMENT HAVING CONTINUOUSLY ARRANGED 3-DIMENSIONAL HETEROMATERIAL INTERFACE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 전석우 | ko |
| dc.contributor.author | 배광민 | ko |
| dc.date.accessioned | 2023-06-02T07:00:50Z | - |
| dc.date.available | 2023-06-02T07:00:50Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/307037 | - |
| dc.description.abstract | 개시된 3차원 멤리스터 소자는, 3차원으로 연결된 제1 도전체, 상기 제1 도전체를 둘러싸는 3차원 나노쉘 형태의 저항 변화부 및 상기 저항 변화부를 둘러싸는 형태를 가지며, 상기 저항 변화부에 의해 상기 제1 도전체와 분리된 제2 도전체를 포함하는 3차원 나노 복합체를 포함한다. 이에 따라, 단위체(나노 복합 구조)의 크기 및 토폴로지를 조절함에 따라 단위 부피당 계면 면적을 증가시킬 수 있으며, 소자의 저항 변화 특성을 정교하게 조절할 수 있다. 또한, 저전력에서도 아날로그 소자에 적용 가능한 점진적인 저항 변화를 구현할 수 있다. | - |
| dc.title | 연속적으로 정렬된 3차원 이종 소재 계면을 갖는 3차원 멤리스터 소자 및 그 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | 3-DIMENSIONAL MEMRISTOR ELEMENT HAVING CONTINUOUSLY ARRANGED 3-DIMENSIONAL HETEROMATERIAL INTERFACE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 전석우 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2021-0033842 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2523778-0000 | - |
| dc.date.application | 2021-03-16 | - |
| dc.date.registration | 2023-04-17 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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