비휘발성 메모리 소자 및 이를 포함하는 크로스 포인트 어레이 장치Nonvolatile memory device and cross point array device including the same

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본 발명의 개념에 따른 비휘발성 메모리 소자는 기판 상의 하부 전극, 상기 하부 전극 상의 상부 전극, 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극 사이의 터널 배리어 패턴, 및 상기 하부 전극과 접촉하고, 상기 하부 전극을 사이에 두고 상기 터널 배리어 패턴과 이격하는 고정 전하 패턴(fixed charge layer)을 포함한다. 상기 터널 배리어 패턴은 반강유전체 물질을 포함한다 상기 하부 전극은 제1 물질을 포함한다. 상기 상부 전극은 제2 물질을 포함한다. 상기 제1 물질 및 상기 제2 물질은 서로 일 함수(work function)가 다르다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Application Date
2021-04-29
Application Number
10-2021-0055997
Registration Date
2023-03-23
Registration Number
10-2514952-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/306049
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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