3차원 비휘발성 메모리, 이의 동작 방법 및 이의 제조 방법3D NON-VOLATILE MEMORY, OPERATING METHOD OF THE SAME AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
3차원 비휘발성 메모리, 이의 동작 방법 및 이의 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 비휘발성 메모리는, 수직 방향으로 연장 형성되는 비트 라인; 및 수평 방향으로 연장 형성된 채, 상기 수직 방향으로 이격되며 배치된 채 상기 비트 라인과 맞닿는 수평 구조체들-상기 수평 구조체들 각각은 상기 비트 라인과 접촉하는 강유전체층, 상기 강유전체층에 의해 둘러싸인 중간 메탈층, 상기 중간 메탈층에 의해 둘러싸인 유전체층 및 상기 유전체층에 의해 둘러싸인 워드 라인을 포함함-을 포함할 수 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2021-08-09
- Application Number
- 10-2021-0104281
- Registration Date
- 2023-03-23
- Registration Number
- 10-2514801-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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