가상의 전기적 부유 상태를 이용하여 메모리 특성을 구현하는 전계 효과 트랜지스터 및 그 동작 방법FIELD EFFECT TRANSISOTR FOR IMPLEMENTING MEMORY CHARACTERISTICS USING VIRTUAL FLOATING STATE AND OPERATING METHOD THEREOF
가상의 전기적 부유 상태를 이용하여 메모리 특성을 구현하는 전계 효과 트랜지스터 및 그 동작 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 전계 효과 트랜지스터는 기판에 형성되는 소스 영역 및 드레인 영역; 상기 기판에서 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역을 연결하도록 형성되는 채널 영역; 상기 채널 영역 상에 형성된 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 구조체를 포함하고, 상기 기판에 반전된 전압이 인가됨에 응답하여, 상기 기판을 가상의 전기적 부유 상태로 만들어 상기 기판 내에 전하를 저장함으로써 메모리 특성을 구현하는 것을 특징으로 한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2021-03-05
- Application Number
- 10-2021-0029323
- Registration Date
- 2022-11-15
- Registration Number
- 10-2468494-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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