ナノギャップを形成する方法, 及び分子素子とバイオセンサーのためのナノ電界効果トランジスタを作製する方法

Abstract

【要約】 （修正有） 【課題】分子素子やバイオセンサーのためのナノギャップまたはナノ電界効果トランジスタ製作方法及びその構造を提供する。 【解決手段】ナノギャップの製作方法は、(a)シリコン基板、絶縁膜、第1金属層及びハードマスクを順次に形成する段階と、(b)前記マスクパターンをマスクにして第1金属層を蝕刻する段階と、(C)前記シリコン基板上にナノギャップを形成するために第1金属層側面にSAM(Self-Assembled Monolayer)を形成する段階と、(D)前記シリコン基板上に第2金属層を形成するために金属を蒸着する段階、(E)前記(a)段階で形成されたハードマスクを蝕刻してハードマスクの上に蒸着された金属をリフト-オフ固定を利用してとり除く段階と、(f)前記(c)段階で形成されたSAMを蝕刻してナノギャップを形成する段階とを含んでからなる。 【選択図】図1A