반도체 소자 및 반도체 로직 소자

Abstract

본 발명은 반도체 소자에 관한 것이고, 본 발명의 실시 예를 따르는 반도체 소자는 본 발명의 실시 예를 따르는 스핀 오핏 토크(SOT: Spin Orbit Torque) 효과 기반의 반도체 소자는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치되고, 절연층 및 제어층이 접합된 구조를 사이에 두고 자유 자성층 및 고정 자성층이 배치된 자기터널접합(MTJ: magnetic Tunnel Junction)을 포함하는 셀; 및 상기 자유 자성층 및 고정 자성층 사이에 전압을 인가하는 제어 전압 게이트;를 포함하고, 상기 제어층은 상기 제어 전압 게이트에 인가되는 전압에 의해 상기 자유 자성층 및 절연층 계면의 전기 레벨을 제어하고, 상기 제어층이 상기 전기 레벨을 제어함에 따라 상기 셀의 임계 전류값이 제어되는 것을 특징으로 한다.