입자크기가큰다결정규소박막의제조방법

Abstract

본 발명에 기판상에 비정질 규소 박막을 증착시킨 후, 이를 특정 압력 하에 저온에서 열처리하여 고상 결정화시키는 것으로 이루어진 입자 크기가 큰 다결정 규소 박막을 제조하는 방법이 기재되어 있다. 본 발명의 방법은 결정 성장 온도를 크게 낮춤으로써 값비싼 석영 대신 값싼 유리 등의 기판을 사용하고, 고가의 Si2H6가스 대신 SiH4가스를 사용함으로써 다결정 규소 박막의 생산 단가를 크게 낮출 수 있을 뿐 만 아니라, 입자 크기가 150μ이상인 다결정 규소 박막을 제공함으로써 다결정 규소 박막의 전자 및 정공의 이동도를 단결정 수준으로 향상시켜 현재 어려움을 겪고 있는 LCD용 TFT나 SRAM용 TFT등의 고성능 SOI소자 개발을 획기적으로 진전시킬 수 있다.