アミン付加物単一源前駆物質を用いた金属窒化物薄膜の製造方法아민 부가물 단일원 전구 물질을 이용한 금속 질화물 박막 제조 방법

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【要約】 本発明はアミン付加物の単一源の前駆物質を用いた化学蒸着により低温で金属窒化物薄膜を製造する方法に関する。本発明によれば、基板として高価なサファイアの代りに、安価なケイ素を使用して低温で化学蒸着を行うので、窒化物薄膜を経済的に製造できる。更に、不導体基板を使用して発生する電極製造後の工程上の問題点を解決できるために新素材の開発や多層薄膜の製造に幅広く活用できる。
Assignee
KAIST
Country
JA (Japan)
Application Date
2001-01-22
Application Number
2001553422
Registration Date
2006-08-04
Registration Number
3836724
URI
http://hdl.handle.net/10203/303262
Appears in Collection
CH-Patent(특허)
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