DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 이재영 | ko |
dc.contributor.author | 조민희 | ko |
dc.contributor.author | 강윤선 | ko |
dc.contributor.author | 김해열 | ko |
dc.contributor.author | 박성철 | ko |
dc.contributor.author | 김용묵 | ko |
dc.date.accessioned | 2022-12-20T02:01:42Z | - |
dc.date.available | 2022-12-20T02:01:42Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/303257 | - |
dc.description.abstract | 【要約】 【課題】 マイクロ波プラズマ処理を利用して薄膜内部の水素を低温で効率的に除去させ、アルミニウムと窒素の結合密度を大きく向上させることにより水素添加の最も大きな問題点である化学的安定性の問題を解決し、また、水素添加による1次的に表面平坦度を向上させた窒化アルミニウム薄膜にプラズマ処理を実施することによりプラズマ気体のイオンまたはラジカルが窒化アルミニウム薄膜の表面に衝突することにより二次的に窒化アルミニウム薄膜の表面平坦化が進行され大変高い表面平坦度を示す良質の窒化アルミニウム薄膜を提供することにある。 【解決手段】 水素が添加された窒化アルミニウム薄膜4内の化学的安定性及び窒化アルミニウム薄膜4の表面平坦度を向上させるために水素が添加された窒化アルミニウム薄膜4をプラズマ7で処理することにある。 | - |
dc.title | プラズマ処理を利用した窒化アルミニウム薄膜の製造方法 | - |
dc.title.alternative | 플라스마 처리를 이용한 질화 알루미늄 박막 제조 방법 | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 조민희 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 강윤선 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 김해열 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 박성철 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 김용묵 | - |
dc.contributor.assignee | KAIST | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 2000332180 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 3449979 | - |
dc.date.application | 2000-10-31 | - |
dc.date.registration | 2003-07-11 | - |
dc.publisher.country | JA | - |
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