基板上に炭素ナノチューブを形成させる方法, これを利用した導線形成方法及びこれを利用したインダクター素子製造方法기판상에 탄소 나노 튜브를 형성시키는 방법, 이것을 이용한 도선 형성 방법 및 이것을 이용한 인덕터 소자 제조 방법

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dc.contributor.author윤준보ko
dc.contributor.author이병철ko
dc.contributor.author이정언ko
dc.contributor.author최양규ko
dc.date.accessioned2022-12-19T08:02:47Z-
dc.date.available2022-12-19T08:02:47Z-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/303213-
dc.description.abstract【要約】 【課題】本発明は素子製造方法を提供し、より詳しくは炭素ナノチューブを溝に満たして素子を製造する方法を提供する。 【解決手段】本発明による素子を製造する方法は、基板の上にモールドをパターニングする段階と、パターニングによって形成された溝及びモールド前面に炭素ナノチューブを塗布する段階と、モールド前面に塗布された炭素ナノチューブを溝に満たして入れる段階及びモールドを取り除く段階を含むことを特徴とする。 【選択図】図2-
dc.title基板上に炭素ナノチューブを形成させる方法, これを利用した導線形成方法及びこれを利用したインダクター素子製造方法-
dc.title.alternative기판상에 탄소 나노 튜브를 형성시키는 방법, 이것을 이용한 도선 형성 방법 및 이것을 이용한 인덕터 소자 제조 방법-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor윤준보-
dc.contributor.localauthor최양규-
dc.contributor.nonIdAuthor이병철-
dc.contributor.nonIdAuthor이정언-
dc.contributor.assigneeKAIST-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber2006192551-
dc.identifier.patentRegistrationNumber4350732-
dc.date.application2006-07-13-
dc.date.registration2009-07-31-
dc.publisher.countryJA-
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EE-Patent(특허)
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