N-비닐락탐 유도체의 공중합체, 그의 제조방법 및 그를 이용한 포토레지스트COPOLYMERS CONTAINING N-VINYLLACTAM DERIVATIVES, PREPARATION METHODS THEREOF AND PHOTORESESTS THEREFROM

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본 발명은 하기 화학식 1 로 표시되는 비닐락탐의 3 위치에 여러 종류의 보호기가 도입된 유도체, 스티렌계 유도체 및 아크릴계 유도체의 신규한 공중합체, 그의 제조 방법 및 그들 공중합체의 포토레지스트로서의 용도에 관한 것이다. 본 발명의 중합체는 초미세가공(microlithography)에서 원자외선 노광에 적합한 감도, 고해상성의 화상을 형성할 수 있는 포토레지스트 재료로 사용될 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 포토레지스트는 초미세회로의 형성이 가능할 뿐만 아니라, 패턴 형성에 있어서 PED 안정성을 획기적으로 향상시킬 수 있다. 상기 식에서, R1은 수소, 탄소수 1 내지 10개의 알킬기, 탄소수 6 내지 12개의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 9개의 트리알킬실릴기이고; R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1내지 10개의 알킬기, 탄소수 6 내지 12개의 아릴기, 탄소수 3 내지 9개의 트리알킬실릴기 및 -OR', -SO3R', -CO2R', -PO3R', -SO2R' 또는 -PO2R' (R'는 탄소수 1 내지 10개의 알킬; 시클로알킬; N, O, P, S 등의 헤테로 원자를 포함한 시클로기; 탄소수 6 내지 12개의 아릴기)이며; R4 및 R5는 각각 독립적으로 -OH, -OR(R은 탄소수 1 내지 10개의 알킬기 또는 탄소수 6내지 12개의 아릴기) 또는 R1과 동일한 기이며; R7 및 R9는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 10개의 알킬기, 탄소수 6 내지 12개의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 9개의 트리알킬실릴기이고; R6 및 R8는 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 20개의 아릴기 또는 아크릴레이트(-COOR)(R는 탄소수 1 내지 10개의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12개의 아릴기)이고: m은 0 내지 10의 정수이며; j는 0.005 내지 0.7의 몰분률이며; k 및 l은 각각 독립적으로 0.05 내지 0.9의 몰분률이다.
Assignee
에스케이하이닉스 주식회사,한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Application Date
1996-12-20
Application Number
10-1996-0068910
Registration Date
1999-02-25
Registration Number
10-0197673-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/302591
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CH-Patent(특허)
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