라튬나오베이트결정의분극반전층제조방법

Abstract

본 발명은 +Z면 리튬나오베이트 기판 위에 티타늄박막을 확산시켜 분극반전을 얻는 방법에 관한 것으로, 표면 분극반전층을 형성하지 않으며, 횡방향 확산된 티타늄 농도를 조절함으로써 분극반전의 깊이 조절이 가능하고, 기판으로부터의 리튬옥사이드 외부확산량이 적어 광도파로 형성후 표면도파현상이 거의 없는 분극반전층의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 의한 분극반전층 형성방법은 +Z면 리튬나오베이트 기판 위의 분극반전층을 형성하지 않을 부분에 티타늄박막을 형성한 후, 열처리를 행하여 티타늄을 횡방향으로 확산시켜 분극반전층을 형성하는 것이다.본 발명에 의하면, 횡방향 확산된 티타늄농도를 조절하여 표면 분극반전층의 형성없이 분극반전 깊이를 조절할 수 있으며, 이에 따라 준위상정합된 집적광학 광도파로형 제2고조파 발생소자의 변화효율의 최대화를 매우 용이하게 실현할 수 있게 된다.