반도체 소자 및 그 제조방법Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof
본 발명은 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 소자는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성된 적어도 하나의 메탈절연층(Pre-Metal-Dielectric, 또는 Inter-Metal-Dielectric); 상기 반도체 기판 및 상기 메탈절연층에 형성된 회로부; 상기 회로부를 외부의 전기적 신호와 연결되도록 상기 메탈절연층 상에 형성된 금속층; 상기 금속층과 접촉하는 제1 외부전극 및 상기 반도체 기판의 하면 상에 형성된 제2 외부전극; 상기 메탈절연층 및 상기 금속층 상에 형성되고, 상기 제1 외부전극이 소정의 영역에서 노출되도록 형성된 패시베이션층; 및 상기 제1 외부전극 및 상기 제2 외부전극이 연결되도록 상기 금속층, 상기 메탈절연층 및 상기 반도체 기판을 관통하여 형성된 관통전극을 포함한다. 외부전극, SiP, 관통전극
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2008-05-28
- Application Number
- 10-2008-0049831
- Registration Date
- 2011-06-03
- Registration Number
- 10-1040533-0000
- Appears in Collection
- RIMS Patents
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