곡면 기판상에 성장된 고온 초전도체 박막 및 그 제조방법

Abstract

본 발명은 큰 임계전류를 가지며 곡면 기판상에 성장된 고온 초전도체 박막과 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명에 있어서, 고온 초전도체 물질이 증착되는 기판은 실린더 형상으로 되어 있으며, 상기 실린더형 기판 상에는 완충층이 증착되어 있으며, 상기 완충층 위로는 고온 초전도물질이 막형태로 증착되어 있는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 박막이 제공되며, 또한 상기한 곡면 기판상에 고온 초전도체 박막을 형성하는 방법으로서, 기판을 실린더 형상으로 가공하는 단계, 기판을 회전시키면서 기판위로 완충층을 증착시키는 단계, 상기 완충층 위로는 고온 초전도 물질을 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 박막의 제조방법이 제공된다.본 발명에 따르면, 큰 임계전류를 가지는 고온 초전도체 박막을 평면 기판이 아닌 곡면 기판상에 성장시키므로써 그 응용범위를 더욱 확대시킬수 있으며, 구체적으로는 실린더형 기판 상에 형성된 고온 초전도체 박막을 자기장 차폐장치로 사용할 수 있으며, 고온 초전도체 박막을 실린더형 기판 상에 띠 형상으로 패터닝(patterning) 함으로써 3차원 적인 고온 초전도체 코일 등을 제작할 수 있게 된다.