DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 이준성 | ko |
dc.contributor.author | 노광수 | ko |
dc.date.accessioned | 2022-12-10T02:04:25Z | - |
dc.date.available | 2022-12-10T02:04:25Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/302490 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 페르보스카이트상으로만 이루어진 PLZT 박막을 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 솔-젤 공정을 이용하여 La/Zr/Ti 비율이 15.5/40/60인 PLZT 코팅 용액으로 씨앗층을 형성한 후, 그 위에 PLZT(9.5/65/35)코팅 용액을 입히고, 1회 열처리 공정을 행함으로써 입자가 미세하고 균일한 100% 페르보스카이트상으로만 이루어진 PLZT 박막이 제조된다. 본 발명에 의하여 제조된 PLZT 박막은 이차 전광 효과의 응용에 적합하고, 특히 투광성이 향상되어 차세대 광전 소자로 널리 사용될 수 있다. | - |
dc.title | 씨앗층을이용한PLZT박막의제조방법 | - |
dc.title.alternative | PROCESS FOR THE PREPARATION OF PLZT THIN FILM USING SEED LAYER | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 노광수 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 이준성 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-1993-0025439 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0102974-0000 | - |
dc.date.application | 1993-11-26 | - |
dc.date.registration | 1996-08-02 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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