깊은 엔웰 씨모스로 구현된 수직형 바이폴라 접합트랜지스터를 이용한 수신기.RECEIVER USING VERTICAL BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR WHICH IS EMBODIED IN DEEP n-WELL CMOS TECHNOLOGY

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본 발명은 수신기에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 깊은 n웰 CMOS(complementary metal oxide semiconductor) 기술로 제작된 수직형 바이폴라 접합 트랜지스터를 이용한 믹서를 포함하는 수신기에 관한 것이다.본 발명에 따른 깊은 n웰 CMOS 기술로 제작된 수직형 바이폴라 접합 트랜지스터를 이용한 수신기는 작은 입력신호를 잡음열화가 작게 증폭하여 출력신호를 출력하는 입력부, 입력부의 출력신호를 왜곡없이 제1 및 제2 차동신호로 변환하여 출력하는 변환부, 변환부의 제1 및 제2 차동신호가 서로 상호-커플(cross-coupled)되어 출력하는 전달부, 및 전달부의 제1 차동신호와 동위상 및 직각위상 국부발진 신호를 혼합하는 제1 믹서단과, 상기 전달부의 제2 차동신호와 동위상 및 직각위상 국부발진 신호를 혼합하는 제2 믹서단을 포함하는 믹서부를 포함하되, 제1 및 제2 믹서단은 깊은 n웰 CMOS 공정에서 구현되는 바이폴라 접합 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 이루어진다.믹서, CMOS, 수신기, low-IF, 선형성, 직접 변환
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Application Date
2005-11-04
Application Number
10-2005-0105171
Registration Date
2006-11-21
Registration Number
10-0650329-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/302476
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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