ＣＭＯＳ 이미지센서의 단위화소

Abstract

본 발명은 CMOS 이미지센서에 관한 것으로서, CMOS 이미지센서에서 빛이 입사되는 표면에 가까이 형성되는 P-N접합부와 그 하단의 P-N접합부를 갖는 PNP접합 구조의 포토다이오드가 동시에 작용되도록 하여 표면부 근처에서 흡수율이 높은 청색계열 파장 및 하단부에서 흡수율이 높은 적색계열 파장에 대해 모두 반응할 수 있도록 할 뿐만 아니라 표면부의 P-N접합 포토다이오드의 캐패시턴스를 상쇄시켜 수집된 광전하가 전압으로 변환되는 비율을 증가시킴으로서 높은 신호대 잡음비를 갖도록 함으로써 표준 CMOS공정의 수정 없이 이미지센서 소자의 효율 및 변환이득을 증가시켜 높은 감도를 갖도록 한 이점이 있다. 이미지센서, 영상센서, CMOS, 단위화소, 포토다이오드, 감도