코발트-카본 합금박막을 이용한 단결정 코발트다이실리사이드콘택 형성방법

Abstract

본 발명은 고집적회로 반도체소자에 이용되는 모스 트랜지스터에서의 콘택 형성에 있어서, 코발트-카본 합금박막을 이용한 단결정 코발트다이실리사이드(epitaxial cobalt disilicide)의 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 미세구조의 고집적 반도체 소자의 소스/드레인(source/drain) 및 폴리실리콘 게이트(poly-silicon gate) 전극의 접촉저항과 비저항을 감소시키기 위해 실리사이드(silicide) 공정을 이용한 단결정 CoSi2층을 형성시키는데 있어 코발트-카본 합금박막을 코스퍼터링(co-sputtering)방법에 의해 상온 혹은 350 ℃ 이하의 기판온도에서 증착하거나, 화학기상증착법에 의해 기판온도 350℃ 정도에서 코발트-카본 합금박막을 증착한 다음 보호층을 사용하지 않고 후속 급속열처리 공정에 의하여 (100) 방위를 가지는 실리콘 표면에서 코발트와 실리콘의 화합물인 CoSi2층을 직접 형성시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의해 종래의 방법에서 사용하던 중간층 증착 및 보호층 증착 공정들을 모두 생략할 수 있어 실리사이드 형성공정을 단순화시킬 수 있으며 기존의 방법보다도 단결정이나 단결정에 가까운 에피택시층의 CoSi2층을 성장시킴으로써 도포성(step coverage)이 우수하여 기가디램급 이상의 초미세반도체 집적회로 제조에 이용할 수 있다.