양자섬을이용한광감지소자및그제조방법

Abstract

본 발명은 양자섬(Quantum dot)을 이용한 광 감지소자의 구현시 별도의 부대장비 없이 광 감지소자면에 대해 수직으로 입사되는 빛을 효율적으로 감지할 수 있으며 상온에서도 동작 가능하도록 하기 위한 양자섬을 이용한 광 감지 디바이스의 구현방법과 광 감지소자 및 그에 따른 제조방법에 관한 것으로 특히, 이종의 물질간 접합이나 불순물 첨가에 의해 특정 방향으로 캐리어의 이송방향과 채널이 설정되고, 페르미 준위의 이동 제어에 의해 상기 채널의 형성여부가 결정될 수 있도록 구현되는 반도체 디바이스에 빛의 감지에 따른 흡수과정을 통해 그에 대응하는 전자를 방출하는 양자섬층을 채널의 주변 임의의 위치에 형성하되, 상기 양자섬층에서 빛 감지에 따른 방출전자가 상기 채널에 모이도록 구현하고, 상기 페르미 준위가 입사광이 없을 때 채널에 전자가 거의 없게 하는 에너지 레벨을 갖으면서 상기 양자섬층에 전자를 공급하여 가둘 수 있는 위치에 구비되도록 하는 구현방법과 그 방식에 의해 완성된 디바이스 및 해당 디바이스의 제조 방법을 제공하여 적외선 감지소자를 경제적으로 제조할 수 있다는 것이 확인되었다.