환화이미드로 치환된 스티렌계 유도체를 이용한 포토레지스트

Abstract

본 발명은 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 스티렌계 유도체의 단독중합체 또는 공중합체를 이용한 화학증폭형 포토레지스트 및 그를 이용한 레지스트 패턴의 형성 방법에 관한 것이다. 상기 식에서, R1은 수소, 탄수소 1내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 9의 트리알킬실릴기이고; R2는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, -0-, -OR', -CO2R', -SO2R' 또는 -PO2R'(R'는 탄소수 1 내지 12의 알킬기; 탄소수 6 내지 12의 아릴기; 또는, 시클로 알킬기)이며; R3는 -OR', -SO3R', -CO2R', -PR3R', -SO2R' 또는 -PO2R'(R'는 탄소수 1 내지 12의 알킬기; 탄소수 6내지 12의 아릴기; 시클로알킬기; 또는, N, O, P 또는 S의 헤테로원자를 포함한 시클로기)이고; R4 및 R5는 탄소수 0 내지 5의 알킬기, -OH 또는 -OR(R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6내지 12의 아릴기)이며; R6는 수소, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 시클로알킬기, -OH, -CO2H, -CO2R'(R' 는 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기) 또는 R5와 동일한 기이고; 및, n은 0 또는 1의 정수이다.