쏠레노이드인덕터의모놀리식제조방법METHOD FOR MANUFACTURING MONOLITHIC SOLENOID INDUCTOR
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김 충 기 | ko |
| dc.contributor.author | 한 철 희 | ko |
| dc.contributor.author | 윤 의 식 | ko |
| dc.contributor.author | 윤 준 보 | ko |
| dc.date.accessioned | 2022-12-08T02:01:08Z | - |
| dc.date.available | 2022-12-08T02:01:08Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/302094 | - |
| dc.description.abstract | 120도 이하의 저온에서 단일의 3차원 구조의 포토레지스트 몰드 패터닝과 단일의 금속 도금을 이용한 간단한 공정에 의해서 높은 집적 회로 호환성과 우수한 생산성 및 저렴한 제조 비용으로 종래의 기술로는 제조가 어려웠던 3차원 구조의 쏠레노이드 인덕터를 모놀리식 방식으로 제조하는 방법이 개시되어 있다. 본 발명의 제 1 실시 예에 따르면, 다중 노광 및 단일 현상법에 의해서 3차원 브릿지 몰드를 형성하고 금속 도금을 실시하여, 도전 포스트를 형성한 도금 금속이 넘침에 의해 상부 도전선을 형성함으로써, 도전 포스트와 상부 도전선이 한 몸체인 금속 브릿지를 단일의 금속 도금 과정에서 얻는다. 본 발명의 제 2 실시 예에 따르면, 포토레지스트로 이루어진 희생층을 사용하여 자성 코어를 내포한 쏠레노이드 인덕터를 제작한다. 본 발명의 제 3 실시 예, 제 4 실시 예 및 제 5 실시 예에 따르면, 제 3 씨앗 금속층 또는 더미 포스트를 도입함으로써 길이의 제한이 없는 금속 브릿지를 형성하여, 결국에는 길이의 제한이 없으면서 공심 또는 자성 코어를 내포하는 쏠레노이드 인덕터를 제조한다. | - |
| dc.title | 쏠레노이드인덕터의모놀리식제조방법 | - |
| dc.title.alternative | METHOD FOR MANUFACTURING MONOLITHIC SOLENOID INDUCTOR | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 한 철 희 | - |
| dc.contributor.localauthor | 윤 의 식 | - |
| dc.contributor.localauthor | 윤 준 보 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김 충 기 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-1998-0037894 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0337950-0000 | - |
| dc.date.application | 1998-09-15 | - |
| dc.date.registration | 2002-05-13 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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