표면 및 결합특성이 향상된 질화알루미늄(AIN) 박막의 제조방법Enhancement of the surface and bonding characteristicsof Aluminum nitride (AlN) thin film

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본 발명은 질화알루미늄 박막을 질소 플라즈마 처리를 하여, 낮은 공정온도에서도 표면 평탄도와 박막내의 화학적, 전기적 특성이 크게 향상된 질화알루미늄 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명에 의하면 기존의 방법보다 더욱 낮은 온도와 짧은 시간에, 박막의 평탄도, 화학적, 전기적 안정성을 뛰어나게 개선시킬 수 있어 표면탄성파 소자 제작시 압전기판재료로서 질화알루미늄의 조건을 만족시킬 수 있으며, 또한 질화갈륨의 완충층으로서 사용될 때도 뛰어난 기능을 할 수 있으리라 본다. 그리고 광학소자로 이용될 때에도 표면이 평탄해 짐에 따라 빛의 산란을 방지할 수 있을 것이며, 화학적 안정성 증가에 따라 실제 보호피막으로 사용될 때에도 부식방지에도 큰 역할을 하게 될 것으로 기대한다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Application Date
1999-11-04
Application Number
10-1999-0048652
Registration Date
2003-02-05
Registration Number
10-0372750-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/301817
Appears in Collection
RIMS Patents
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